比亚迪拟明年自建SiC产线

【河南汽车在线】据财联社12月23日报道，比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示，比亚迪车规级的IGBT已经走到5代，碳化硅MOSFET已经走到3代，第4代正在开发当中。目前在规划自建SiC产线，预计到明年有自己的产线。

此外，比亚迪日前接受结构调研表示，比亚迪半导体作为中国最大的车规级IGBT厂商，仅用42天即成功引入红杉资本中国基金、中金资本、国投创新等知名投资机构，迈出了比亚迪市场化战略布局的第一步。后续公司将加快推进比亚迪半导体分拆上市工作，并着手培育更多具有市场竞争力的子公司实现市场化运营，不断提升公司整体价值。未来，比亚迪半导体将以车规级半导体为核心，同步推动工业、消费等领域的半导体发展。